Версия для копирования в MS Word
PDF-версии: горизонтальная · вертикальная · крупный шрифт · с большим полем
Образовательный портал «РЕШУ ЦТ» (https://phys.reshuct.by)
Катушка индуктивности и конденсатор
1.

На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,43 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:

1) 0,069 нФ
2) 0,086 нФ
3) 0,17 нФ
4) 1,1 нФ
5) 1,4 нФ
2.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 80 мГн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:

1) 5,0 мВ
2) 6,3 мВ
3) 8,0 мВ
4) 16 мВ
5) 25 мВ
3.

На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,28 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:

1) 0,14 нФ
2) 0,28 нФ
3) 0,56 нФ
4) 1,1 нФ
5) 2,2 нФ
4.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 0,1 Гн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:

1) 4,0 мВ
2) 6, мВ
3) 8,0 мВ
4) 12 мВ
5) 18 мВ
5.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 50 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 20 мс была равна:

1) 3,6 мДж
2) 6,0 мДж
3) 9,0 мДж
4) 11 мДж
5) 17 мДж
6.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 80 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 10 мс была равна:

1) 2,1 мДж
2) 3,6 мДж
3) 4,6 мДж
4) 5,2 мДж
5) 6,8 мДж
7.

На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,36 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:

1) 0,077 нФ
2) 0,15 нФ
3) 0,19 нФ
4) 1,4 нФ
5) 1,7 нФ
8.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 0,2 Гн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:

1) 8,0 мВ
2) 12 мВ
3) 16 мВ
4) 19 мВ
5) 28 мВ
9.

График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:

1) 0,60 мкФ
2) 1,2 мкФ
3) 1,7 мкФ
4) 2,4 мкФ
5) 3,2 мкФ
10.

На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,27 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:

1) 0,076 нФ
2) 0,10 нФ
3) 0,24 нФ
4) 0,30 нФ
5) 0,41 нФ
11.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 0,10 Гн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:

1) 16 мВ
2) 12 мВ
3) 8,0 мВ
4) 6,0 мВ
5) 4,0 мВ
12.

На рисунке изображены два плоских воздушных (ε = 1) конденсатора C1 и C2 обкладки которых имеют форму дисков. (Для наглядности расстояние между обкладками показано преувеличенным.) Если ёмкость первого конденсатора С1 = 0,31 нФ, то ёмкость второго конденсатора C2 равна:

1) 0,22 нФ
2) 0,26 нФ
3) 0,43 нФ
4) 1,0 нФ
5) 1,7 нФ
13.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 80 мГн, то в ней возбуждается ЭДС самоиндукции ε, равная:

1) 4 мВ
2) 6 мВ
3) 8 мВ
4) 12 мВ
5) 20 мВ
14.

График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:

1) 0,11 мкФ
2) 0,14 мкФ
3) 0,18 мкФ
4) 0,23 мкФ
5) 0,44 мкФ
15.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 93 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 15 мс была равна:

1) 1,5 мДж
2) 2,7 мДж
3) 3,2 мДж
4) 4,2 мДж
5) 6,9 мДж
16.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 84 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 20 мс была равна:

1) 3,2 мДж
2) 4,3 мДж
3) 6,1 мДж
4) 7,4 мДж
5) 8,7 мДж
17.

График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:

1) 1,5 мкФ
2) 2,2 мкФ
3) 4,4 мкФ
4) 6,7 мкФ
5) 15 мкФ
18.

На рисунке изображён график зависимости силы тока I в катушке индуктивности от времени t. Если индуктивность катушки L = 95 мГн, то энергия W магнитного поля катушки в момент времени t = 60 мс была равна:

1) 4,5 мДж
2) 6,0 мДж
3) 9,6 мДж
4) 12 мДж
5) 17 мДж
19.

График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:

1) 36 нФ
2) 40 нФ
3) 60 нФ
4) 72 нФ
5) 80 нФ
20.

График зависимости энергии W конденсатора от его заряда q представлен на рисунке. Ёмкость конденсатора C равна:

1) 30 мкФ
2) 25 мкФ
3) 20 мкФ
4) 15 мкФ
5) 10 мкФ
21.

Электроёмкость плоского воздушного конденсатора С1 = 0,1 нФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить керосином, диэлектрическая проницаемость которого ε = 2, то электроёмкость С2 конденсатора будет равна:

1) 0,05 нФ
2) 0,1 нФ
3) 0,2 нФ
4) 0,3 нФ
5) 0,4 нФ
22.

Электроёмкость плоского воздушного конденсатора С1 = 0,2 нФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить пластиком, диэлектрическая проницаемость которого ε = 4, то электроёмкость С2 конденсатора будет равна:

1) 0,05 нФ
2) 0,1 нФ
3) 0,2 нФ
4) 0,4 нФ
5) 0,8 нФ
23.

Электроёмкость плоского воздушного конденсатора С1 = 0,6 нФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить бумагой, диэлектрическая проницаемость которого ε = 3, то электроёмкость С2 конденсатора будет равна:

1) 0,1 нФ
2) 0,2 нФ
3) 0,3 нФ
4) 1,2 нФ
5) 1,8 нФ
24.

Электрическая емкость плоского воздушного конденсатора С = 12 пФ. Если площадь каждой обкладки уменьшить в α = 1,5 раза, то электрическая емкость конденсатора:

1) уменьшится на 4,0 пФ
2) уменьшится на 8,0 пФ
3) увеличится на 4,0 пФ
4) увеличится на 6,0 пФ
5) увеличится на 8,0 пФ
25.

Электрическая емкость плоского воздушного конденсатора С = 20 пФ. Если расстояние между обкладками конденсатора увеличить в α = 2,5 раза, то электрическая емкость конденсатора:

1) уменьшится на 8,0 пФ
2) уменьшится на 12 пФ
3) увеличится на 8,0 пФ
4) увеличится на 12 пФ
5) увеличится на 30 пФ
26.

Электрическая емкость плоского воздушного конденсатора С = 10 пФ. Если пространство между обкладками конденсатора полностью заполнить эбонитом с диэлектрической проницаемостью ε = 4,0, то электрическая емкость конденсатора:

1) уменьшится на 2,5пФ
2) уменьшится на 7,5 пФ
3) уменьшится на 30 пФ
4) увеличится на 7,5 пФ
5) увеличится на 30 пФ
27.

Точечные заряды q1 и q2 находятся в плоскости рисунка. Направление напряжённости \vecE электростатического поля, создаваемого этими зарядами в точке А, указано на рисунке. Для зарядов q1 и q2 справедливы соотношения под номером:

1) q1<0 , q2<0
2) q1>0 , q2>0
3) q1=0 , q2<0
4) q1>0 , q2<0
5) q1<0 , q2>0
28.

Плоский воздушный конденсатор зарядили и отключили от источника питания. Чтобы энергию электростатического поля конденсатора уменьшить в 3 раза, расстояние между обкладками необходимо:

1) увеличить в 3 раза
2) увеличить в 9 раз
3) уменьшить в 3 раза
4) уменьшить в 9 раз
5) не изменять